隨著5G物聯網時代的來臨，記憶體領域發展越來越快，而在這一領域，韓系廠商擁有著較為明顯的優勢。
近日，據報導，三星已經成功研發出有望替代嵌入式快閃記憶體記憶體（eFlash）的嵌入式磁阻隨機訪問記憶體（eMRAM），容量為1Gb，測試晶片的良率已達90%。
MRAM是一種以電阻為存儲方式結合非易失性及隨機訪問兩種特性，可以兼做記憶體和硬碟的新型存儲介質。寫入速度可達NAND快閃記憶體的數千倍，此外，其製作工藝要求低，良品率高，可以很好的控制成本。在壽命方面，由於MRAM特殊的存儲方式，產品的壽命耐久性也遠超傳統RAM。
報導稱，三星也正在改善1Gb MRAM壽命問題，除了支持10年的存儲年限之外，在105℃也可完成1億次讀寫，在85℃下則可增加至100億次讀寫，在正常工作環境中，則有望達到1兆次讀寫。目前，以MRAM為代表的新型存儲已經發展到了關鍵階段，能否成為取代NAND快閃記憶體的下一代存儲介質除了材料和工藝的不斷完善之外，構建完善的器件技術生態系統也是十分關鍵的。相信在市場需求的引導以及各大廠商的推動下，存儲產品一定朝著性能更高，容量更大以及成本更優的方向發展。
